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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-03T06:44:10Z A numerical study of multi filament formation in metal-ion based CBRAM Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-01-24T07:38:30Z 納米電阻式記憶體導體特點的分析方法 白達磊; 曾俊元; berco, dan; Tseng,Tseung-Yuen
國立交通大學 2017-04-21T06:55:48Z A stochastic simulation method for the assessment of resistive random access memory retention reliability Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2017-04-21T06:55:16Z A numerical analysis of progressive and abrupt reset in conductive bridging RRAM Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2017-04-21T06:55:16Z A numerical study of forming voltage and switching polarity dependence on Ti top electrode thickness in Zr RRAM Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2017-04-21T06:55:16Z A comprehensive study of bipolar operation in resistive switching memory devices Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2016-03-28T00:04:27Z A stochastic simulation method for the assessment of resistive random access memory retention reliability Berco, Dan; Tseng, Tseung-Yuen

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