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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:49:54Z 電漿製程對N-型及P-型金氧半場效電晶體之損傷機制研究 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:36:18Z 金屬閘極之功函數工程 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:35:25Z 金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(I) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:34:34Z 金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(II) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:34:14Z 新型絕緣層上覆晶奈米元件(I) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:33:41Z 複晶矽表面平坦化之新穎製程技術與應用 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:33:36Z 金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(III) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:33:03Z 新型絕緣層上覆晶奈米元件(II) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:31:48Z 新型絕緣層上覆晶奈米元件(III) 崔秉鉞; Bing-YueTsui
國立交通大學 2014-12-13T10:31:01Z 單層奈米碳管前瞻奈米電子與光電元件之組裝、製程及元件特性研究---子計劃二:碳管與電極接觸阻抗、蕭基接面、多閘極元件、高頻特性、記憶單元應用之研究(I) 崔秉鉞; Bing-YueTsui

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