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機構 日期 題名 作者
國立中山大學 1997 Flatness Improvement of GaAs Observed by Atomic Force Microscope Using Flow Rate Modulation Epitaxy M.K. Lee; C.C. Hu
國立中山大學 1997 Flatness Improvement of InP Using Phosphine Modulation Metalorganic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; C.C. Hu
國立中山大學 1997 High Quality III-V Epitaxial Growth Using Flow Rate Modulation Metalorganic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee;C.C. Hu
國立中山大學 1996 The Fabrication of InGaP/Si Light Emitting Diode by Metalorganic Chemical Vapor Deposition C.C. Hu; C.S. Sheu; M.K. Lee
國立中山大學 1996 The Electrical and Optical Characteristics of GaAs on Si by Modified Flow Rate Modulation Epitaxy M.K. Lee; C.C. Hu; C.Z. Hwang
國立中山大學 1996 Utilization of GaAs Masking Layer for Formation of Patterned Porous Silicon M.K. Lee; C.C. Hu; Y.H. Wang
國立中山大學 1996 Silicon Doping of InP using Modified Flow Rate Modulation Epitaxy C.C. Hu; M.H. Lin; M.K. Lee
國立中山大學 1994 Heterojunction ZnSe/InP field-effect transistor by metalorganic chemical vapor deposition M.K. Lee; H.C. Liao; C.C. Hu; M.Y. Yeh
國立中山大學 1993 Metal-organic chemical vapor deposition growth of InP using phosphine modulation M.K. Lee; C.C. Hu; M.H. Lin
國立中山大學 1993 Metal organic chemical vapor deposition of DIP using phosphorous modulation M.K. Lee;C.C. Hu;M.H. Fin
國立中山大學 1993 Flow-rate modulation of GaAs on silicon using MOCVD M.K. Lee;C.C. Hu;C.Z. Hwang
國立中山大學 1992 ZnSe growth by laser-enhanced metal-organic chemical vapor deposition M.Y. Yeh; C.C. Hu; G.L. Lin; M.K. Lee
國立中山大學 1991 Migration enhancement epitaxy of GaAs by conventional MOCVD system M.K. Lee;C.C. Hu;M.H. Lin

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