|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :0
|
|
造訪人次 :
52478194
線上人數 :
1164
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
"f y chang"的相關文件
顯示項目 16-25 / 29 (共3頁) << < 1 2 3 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:58:48Z |
Growth of InAs/InGaAs quantum dots and lasers with light emission at 1300 nm
|
F. Y. Chang; C. S. Lee; C. C. Wu; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:58:47Z |
Relaxation oscillations and damping factors of 1.3m In(Ga)As/GaAs quantum-dot lasers
|
M.-H. Mao,; T.-Y. Wu,; D.-C. Wu,; F.-Y. Chang,; H.-H. Lin,; MING-HUA MAO; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:58:46Z |
Photoreflectance study on the interface of InGaP/GaAs heterostructure grown by gas source molecular beam epitaxy
|
C. M. Lai,; F. Y. Chang,; H. H. Lin,; G. J. Jan,; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:35:09Z |
InAs/InGaAs quantum dot laser grown by solid source molecular-beam epitaxy
|
F. Y. Chang,; G. H. Liao,; C. S. Lee,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:35:07Z |
Temperature dependence of photoreflectance in InAs/GaAs quantum dots
|
C. M. Lai,; F. Y. Chang,; C. W. Chang,; C. H. Kao,; H. H. Lin,; G. J. Jan,; J. Lee,; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:35:07Z |
Effect of InGaAs capping layer on the properties of InAs/InGaAs quantum dots and lasers
|
F. Y. Chang; C. C. Wu; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:35:06Z |
A study of optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots
|
C. M. Lai; F. Y. Chang; H. H. Lin; an G. J. Jan; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:14:57Z |
1.3m InAs/InGaAs quantum dot lasers grown by GSMBE
|
F. Y. Chang; T. C. Wu; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T04:14:57Z |
Optical characterization on InAs/GaAs quantum dots
|
C. M. Lai,; F. Y. Chang,; C. W. Chang,; H. H. Lin,; G. J. Jan,; HAO-HSIUNG LIN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:58Z |
利用遞迴迴旋積分分析頻率相關之VLSI 傳輸線
|
何仁堯; JEN-YAO HO; 張逢猷; F.Y.Chang |
顯示項目 16-25 / 29 (共3頁) << < 1 2 3 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目
|