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| 臺大學術典藏 |
2020-06-11T06:39:49Z |
X-ray absorption fine structure of ZnO thin film on Si and sapphire grown by MOCVD
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Xin, J.;Chang, C.M.;Hsueh, C.-H.;Lee, J.-F.;Chen, J.-M.;Lin, H.-H.;Lu, N.;Ferguson, I.T.;Guan, Y.;Wan, L.;Yang, Q.;Feng, Z.C.; Xin, J.; Chang, C.M.; Hsueh, C.-H.; Lee, J.-F.; Chen, J.-M.; Lin, H.-H.; Lu, N.; Ferguson, I.T.; Guan, Y.; Wan, L.; Yang, Q.; Feng, Z.C.; HAO-HSIUNG LIN |
| 國立臺灣科技大學 |
2009 |
Optical properties and material studies of InGaN/GaN multi-quantum well light emitting diode wafers with different structures
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Kuo T.W.; Lin T.Y.; Feng Z.C.; Liu W.; Chua S.J.; Tsai H.L.; Yang J.R.; Huang Y.S.; Ferguson I.T.; Lu W. |
| 國立臺灣科技大學 |
2008 |
Optical and structural properties of dual wavelength InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
|
Feng Z.C.; Kuo T.-W.; Wu C.Y.; Tsai H.-L.; Yang J.-R.; Huang Y.S.; Ferguson I.T.; Lu W. |
| 國立臺灣大學 |
2008 |
Optical investigation of GaSb thin films grown on GaAs by metalorganic magnetron sputtering
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Feng, Z.C.; Hou, F.C.; Webb, J.B.; Shen, Z.X.; Rusli, E.; Ferguson, I.T.; Lu, W. |
| 國立臺灣大學 |
2008 |
Material Properties of GaN Films Grown on SiC/SOI Substrate
|
Feng, Z. C.; Tran, C.; Ferguson, I. T.; Zhao, J. H. |
| 國立臺灣大學 |
1998-01 |
MOCVD growth of high power 0.5W 35GHz MMICs
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Ferguson, I.T.; Beckman, C.; Feng, Z.C.; Thompson, A.G.; Stall, R.; Hou, H.Q.; Seipel, K.; Chen &, S.W.; Aina, L. |
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