臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	On the InAs(N)/InGaAs quantum wells	T. Y. Chu,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	Cubic GaN grown on (001) GaAs substrate by RF plasma Assisted gas source MBE	L. W. Sung; H. H. Lin; C. T. Chia; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	Effect of growth interruptions on the interfaces of GaAsSb/GaAs Multiple Quantum Well	P. W. Liu; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	InAsN Grown by Plasma-assisted Gas Source MBE	HAO-HSIUNG LIN; T. R. Yang,; T. Y. Chu,; H. H. Lin,; D. K. Shih,
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	InAs0.97N0.03/InGaAs/InP multiple quantum well lasers with emission wavelength = 2.38m	Ding-Kang Shih,; H. H. Lin,; Y. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	High power In0.49Ga0.51P/ In0.15Ga0.85As heterostructure doped-channel FETs	H. C. Chiu; S. C. Yang; Y. J. Chan; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	(AlxGa1-x)0.5In0.5P/ In0.15Ga0.85As (x=0, 0.3, 1.0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications	S. C. Yang; H. C. Chiu; Y.-J. Chan; H. H. Lin; J.-M. Kuo; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	Stranied InAsN/InGaAs/InP Multiple Quantum Well structures for Mid-Infrared Lasers Grown by GSMBE	D. K. Shih,; H. H. Lin,; Y. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	Growth and Optical Characteristics of Type-II GaAsSb/GaAs Multiple Quantum well	M. H. Lee; P. W. Liu; H. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:02Z	Insulator-quantum Hall conductor transitions at low magnetic field	C. F. Huang,; Y. H. Chang,; C. H. Lee,; H. D. Yeh,; C.-T. Liang,; Y. F. Chen,; H. H. Lin,; H. H. Cheng,; G. J. Hwang,; HAO-HSIUNG LIN

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