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臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:06Z Compact Breakdown Model for PD SOI NMOS Devices Considering BJT/MOS Impact Ionization for SPICE Circuits Simulation J. B. Kuo; S. C. Lin; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:06Z High-Temperature Quasi-Saturation Model of High-Voltage DMOS Power Devices C. L. Yang; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:05Z Sub-1V CMOS Large Capacitive-Load Driver Circuit Using Direct Bootstrap Technique for Low-Voltage CMOS VLSI P. C. Chen; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:05Z A 0.8-V 128-Kb Four-Way Set-Associative Two-Level CMOS Cache Memory Using Two-Stage Wordline/Bitline-Oriented Tag-Compare (WLOTC/BLOTC) Scheme P. F. Lin; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:15Z Novel 0.8V True-Single-Phase-Clocking (TSPC) Latches Using PD-SOI DTMOS Techniques for Low-Voltage CMOS VLSI Circuits J. B. Kuo; T. Y. Chiang; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:15Z Low-Voltage SOI CMOS VLSI Devices and Circuits J. B. Kuo; S. C. Lin; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:14Z A 1-V 128-kb four-way set-associative CMOS cache memory using wordline-oriented tag-compare (WLOTC) structure with the content-addressable-memory (CAM) 10-transistor tag cell P. F. Lin; J. B. Kuo; P. F. Lin; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:14Z A 1-V 128-kb four-way set-associative CMOS cache memory using wordline-oriented tag-compare (WLOTC) structure with the content-addressable-memory (CAM) 10-transistor tag cell P. F. Lin; J. B. Kuo; P. F. Lin; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:14Z A novel low-voltage content-addressable-memory (CAM) cell with a fast tag-compare capability using partially depleted (PD) SOI CMOS dynamic-threshold (DTMOS) techniques S. C. Liu; J. B. Kuo; Frank Wu; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T03:50:14Z Modeling of Single-Transistor Latch Behavior in Partially-Depleted (PD) SOI CMOS Devices Using a Concise SOI-SPICE Model J. B. Kuo; S. C. Lin; JAMES-B KUO

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