臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立中山大學	2004	Effect of N and Ga flux ratio on the GaN surface morphologies grown at high temperature by plasma-assisted molecular beam epitaxy	J.K. Tsai;Ikai Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2004	Indium-facilitated growth and characterization of N-polar GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;Ikai Lo;L.W. Tu
國立中山大學	2004	Indium-Facilitated Growth and Characterization of N-polar GaN by RF Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;I. Lo;L.W. Tu
國立中山大學	2004	Effect of N to Ga Flux Ratio on the GaN Surface Morphologies Grown at High Temperature by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy	J.K. Tsai;I. Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2002	Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures	Ikai Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;Li-Wei Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;W.C. Tsai
國立中山大學	2002	Piezoelectric effect on Al0.35-δInδGa0.65N/GaN heterostructures	Ikai Lo;J.K. Tsai;Li-Wei Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu
國立中山大學	2002	Piezoelectric Effect on Al0.35-δInδGa0.0.65N/GaN Heterostructures	I. Lo;J.K. Tsai;L.W. Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu
國立中山大學	2002	Spin Splitting in Modulation-doped AlxGa1-xN/GaN Heterostructures	I. Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;L.W. Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;Wen-Chung Tsai
國立中山大學	2002	Piezoelectric Effect on Al0.35In0.65N/GaN Heterostructures	J.K. Tasi;Ikai Lo;Li-Wei Tu;K.Y. Hsieh;M.H. Tsai;C.S. Liu;J.H. Huang
國立中山大學	1999-08-11	Lessons Learned From a 13-Country, Regional Analysis: A Cross-National Comparison of Personnel Selection Practices	Y.P. Huo;J.H. Huang;N.K. Napier

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