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機構 日期 題名 作者
國立高雄師範大學 2005-03 Carrier relaxation in multi-stacked InAs/GaAs quantum dots 李孟恩; D. J. Jang;S. K. Lu;Meng-En Lee;C. M. Lai;J. S. Wang;K. Y. Hsie
中原大學 2005-02-01 面射型雷射及其製造方法 Y. T. Wu;J. S. Wang;K. F. Lin;N. A. Maleev;D. A. Livchits
中原大學 2005-02-01 應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法 J. S. Wang;N. A. Maleev;A. V. Sakharov;A. R. Kovsh;Y. T. Wu
國立東華大學 2005 Continuous-wave high-power (320 mW) single mode operation of electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot narrow-ridge-waveguide lasers 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J.S. Wang;G. Lin, R.S. Hsiao; C.S. Yang; C.M. Lai; C.Y. Liang; H.Y. Liu; T.T. Chen; Y.F. Chen; J.F. Chen
國立東華大學 2005 Strain relaxation in InAs/InGaAs quantum dots investigated by photoluminescence and capacitance-voltage profiling 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; Y. P. Chen; J.S.Wang
國立東華大學 2005 N incorporation into InGaAs cap layer in InAs self-assembled quantum dots 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; P. C. Hsieh; Y. J. Chen; Y. P. Chen; J. S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學 2005 Characterization of self-assembled InAs quantum dots with InAlAs/InGaAs strain-reduced layers by photoluminescence spectroscopy 祁錦雲; Jim-Yong Chi; K. P. Chang; S. L. Yang; D. S. Chuu; R. S. Hsiao; J. F. Chen; L. Wei; J. S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學 2005 Temperature-dependent optical properties of In0.34Ga0.66As1-xNx / GaAs single quantum well with high N content grown by molecular beam epitaxy 祁錦雲; Jim-Yong Chi; Fang-I Lai; S. Y. Kuo;J.S. Wang;H.C. Kuo; J. Chi; S. C. Wang; H. S. Wang; C. T. Liang; Y. F. Chen
國立東華大學 2005 MBE growth of high quality vertically coupled InAs/GaAs quantum dots laser emitting around 1.3um 祁錦雲; Jim-Yong Chi; R. S. Hsiao; J. S. Wang; G. Lin; C. Y. Liang; H. Y. Liu; T.W.Chi; J. F. Chen;J. Y. Chi
國立中山大學 2005 Optical and deep-level spectroscopic study on In0.38GaAsNx/GaAs single-quantum-well structures of x ? 3% grown by molecular beam epitaxy T.S. Lay;E.Y. Lin;C.Y. Chang;K.M. Kong;L.P. Chen;T.Y. Chang;J.S. Wang;G. Lin;J.Y. Chi

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