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机构 日期 题名 作者
臺大學術典藏 2018-09-10T04:58:47Z Probing the electronic structures of III-V-nitride semiconductors by x-ray photoelectron spectroscopy T. S. Lay,; W. T. Kuo,; L. P. Chen,; Y. H. Lai,; H. Hung,; J. S. Wang,; J. Y. Chi,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
元智大學 2010-02 Polarization Characteristics of Quantum-Dot Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser With Light Injection 祁甡; P. C. Peng; R. L. Lan; F. M. Wu; G. Lin; C. T. Lin; J. Chen; G. R. Lin; H. C. Kuo; J. Y. Chi
元智大學 2009 Dynamic characteristics and linewidth enhancement factor of quantum-dot vertical-cavity surface-emitting lasers 祁甡; P. C. Peng; G. Lin; H. C .Kuo; C. E. Yeh; J. N. Liu; C. T. Lin; J. Chen; J. Y. Chi; S. C. Wang
中原大學 2007-08-07 Relaxation-induced Lattice Misfits and Their Effects on the Emission Properties of InAs Quantum Dots J. F. Chen;Y. Z. Wang;C. H. Chiang;R. S. Hsiao;Y. H. Wu;L. Chang;J. S. Wang;T. W. Chi;J. Y. Chi
中原大學 2007-05-08 Evidence for the Electron Trap State Associated with N-rich Clusters in InGaAsN/GaAs Quantum Wells J. F. Chen;P. C. Hsieh;R. S. Hsiao;J. S. Wang;J. Y. Chi
元智大學 2007-03 Tunable Slow Light Using Quantum Dot VCSEL for Subcarrier Multiplexed System 祁甡; P. C. Peng; C. T. Lin; H. C. Kuo; J. N. Liu; W. K. Tsai; G. Lin; H. P. Yang; K. F. Lin; J. Y. Chi; S. C. Wang
國立東華大學 2006 Single-Mode Monolithic Quantum-Dot VCSEL in 1.3um with Sidemode Suppression Ratio Over 30 dB 祁錦雲; Jim-Yong Chi; Y. H. Chang; P. C. Peng; W. K. Tsai; Gray Lin; FangI Lai; R. S. Hsiao; H. P. Yang; H. C. Yu; K. F. Lin; J. Y. Chi; S. C. Wang; and H. C. Kuo
國立東華大學 2006 Dynamic characteristics of long-wavelength quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers with light injection 祁錦雲; Jim-Yong Chi; P. C. Peng; H. C. Kuo; W. K. Tsai; Y. H. Chang; C. T. Lin; S. Chi; S. C. Wang; G. Lin; H. P. Yang;K. F. Lin; H. C. Yu; J. Y. Chi
國立東華大學 2006 Effect of incorporating an InAlAs layer on electron emission in self-assembled InAs quantum dots 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen;R. S. Hsiao; M. F. Hsieh; J. S. Wang; J. Y. Chi
中原大學 2005-09-29 Strain relaxation in InAs/InGaAs quantum dots investigated by photoluminescence and capacitance-voltage profiling J. F. Chen;R. S. Hsiao;Y. P. Chen;J. S. Wang;J. Y. Chi

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