臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:10Z	Prospects for Ferroelectric HfZrOx FETs with Experimentally CET=0.98nm,SSfor=42mV/dec, SSrev=28mV/dec, Switch-OFF	M.-C. Chen;K.-S. Li;M. Tang;S.-J. Huang;J.-W. Lee;S.-N. Liu;M.-J. Xie;C.-C. Cheng;K-Y. Chu;C. Liu;P.-G. Chen;M. H. Lee;M. H.Liao; M. H.Liao; M. H. Lee; P.-G. Chen; C. Liu; K-Y. Chu; C.-C. Cheng; M.-J. Xie; S.-N. Liu; J.-W. Lee; S.-J. Huang; M. Tang; K.-S. Li; M.-C. Chen
國立高雄師範大學	2008	Investigation of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with a step-graded InAlGaAs/InP collector structure	Jung-Hui Tsai;T. P. Chen;W. H. Chen;K. Y. Chu;L. Y. Chen;C. J. Lee;S. Y. Cheng;W. C. Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2008	Improved formal passivations of Pseudomorphic high electron mobility transistors	Jung-Hui Tsai;L. Y. Chen;S. Y. Cheng;K. Y. Chu;T. P. Chen;T. H. Tsai;W. C. Liu; 蔡榮輝

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