臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立中山大學	2000-01-22	Novel Processing for Improving Optical Property of InGaN/GaN MQW Light Emitting Diode	C.H. Hwang;K.Y. Hsieh;H.L. Huang;L.W. Tu
國立中山大學	2000	Magnetotransport study of two-dimensional electron gas in ZnSSe/ZnCdSe quantum wells	Ikai Lo;Y.M. Liu;L.W. Tu;K.Y. Hsieh;R.C. Tu;Y.K. Su
國立中山大學	2000	Photoluminescence on molecular beam epitaxy grown Ga2O3(Gd2O3)/GaAs	K.H. Lee;C.M. Lai;W.C. Kuo;K.C. Hsu;L.W. Tu;Ikai Lo;K.Y. Hsieh
國立中山大學	1999-01-10	Investigations of Blue/Green Laser Materials	L.W. Tu;Y.C. Lee;W.H. Kuo;J.W. Tu;K.H. Lee;K.J. Hsu;I. Lo;K.Y. Hsieh
國立中山大學	1999	Effect of treading dislocations on electron transport in In0.24Ga0.76N/GaN multiple Quantum wells	Ikai Lo;K.Y. Hsieh;S.L. Hwang;Li-Wei Tu;W.C. Mitchel;A.W. Saxler
國立中山大學	1999	Temperature dependence of photoluminescence on Molecular Beam Epitaxy grown Ga2O3 (Gd2O3)/GaAs	L.W. Tu;Y.C. Lee;K.H. Lee;C.M. Laiy;Ikai Lo;K.Y. Hsieh;M. Hong
國立中山大學	1999	Temperature Dependence of Photoluminescence on Molecular Beam Epitaxy Grown Ga2O3(Gd2O3)/GaAs	L.W. Tu;Y.C. Lee;K.H. Lee;C.M. Lai;I. Lo;K.Y. Hsieh;M. Hong
國立中山大學	1999	Effect of Threading Dislocations on Electron Transport in In0.24Ga0.76N/GaN Multiple Quantum Wells	I. Lo;K.Y. Hsieh;S.L. Hwang;L.W. Tu;W.C. Mitchel;A.W. Saxler
國立中山大學	1999	A transport study of threading dislocations in InGaN/GaN multiple quantum wells	Ikai Lo;k.Y. Hsieh;L.W. Tu;W.C. Mitchel;A.W. Saxler
國立中山大學	1999	Effect of threading dislocations on electron transport in InGaN/GaN multiple quantum wells	Ikai Lo;k.Y. Hsieh;S.L. Hwang;L.W. Tu;W.C. Mitchel;A.W. Saxler

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