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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2003 Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer �Sheu, �Jinn-Kong; Kao, C. J.; Lee, M. L.; Lai, W. C.; Yeh, L. S.; Chi, G. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Tsai, J. M.
國立成功大學 2002-12 GaN p-n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN Lee, M. L.; Sheu, Jinn-Kong; Yeh, L. S.; Tsai, M. S.; Kao, C. J.; Tun, Chun-Ju; Chang, Shoou-Jinn; Chi, Gou-Chung
國立成功大學 2002-11-25 Planar GaN n(+)-p photodetectors formed by Si implantation into p-GaN Sheu, Jinn-Kung; Lee, M. L.; Yeh, L. S.; Kao, C. J.; Tun, Chun-Ju; Chen, M. G.; Chi, Gou-Chung; Chang, Shoou-Jinn; Su, Yan-Kuin; Lee, C. T.
國立成功大學 2002-08 Characterization of Si implants in p-type GaN Sheu, Jinn-Kung; Lee, M. L.; Tun, Chun-Ju; Kao, C. J.; Yeh, L. S.; Chang, Shoou-Jinn; Chi, Gou-Chung
國立成功大學 2002 Low dark current GaN-based PIN ultraviolet photodetector with AlGaN/GaN superlattice p-layer structure Yeh, L. S.; Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Chen, M. G.; Kao, C. J.; Chi, G. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.
淡江大學 1995-06 Time series prediction based on a novel neuro-fuzzy system 蘇木春; Su, Mu-chun; Kao, C. J.

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