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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	2007	Energy relaxation of InN thin films	D.J. Jang;G.T. Lin;C.L. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu;M.E. Lee
國立臺灣海洋大學	2006-01	Local Oxidation of InN and GaN Using Atomic Force Microscopy	J. S. Hwang;Z. S. Hu;Z. Y. You;T. Y. Lin;C. L. Hsiao;L. W. Tu
國立中山大學	2006	Local Oxidation of InN and GaN Using an Atomic Force Microscope	J.S. Hwang;Z.S. Hu;Z.Y. You;T.Y. Lin;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2006	GaN nanorod assemblies on self-implanted (111) Si substrates	H.W. Seo;Q.Y. Chen;L.W. Tu;C.L. Hsiao;Y.J. Tu;X.M. Wang;O. Lazano;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Epitaxial GaN nanorods free from strain and luminescent defects	H.W. Seo;Q.Y. Chen;M.N. Iliev;L.W. Tu;C.L. Hsiao;J.K. Mean;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Unintentionally doped InN grown onto atomically flat AlN intermediate layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy	K.R. Wang;L.W. Tu;S.J. Lin;Y.L. Chen;Z.W. Jiang;M. Chen;C.L. Hsiao;K.H. Cheng;J.W. Yeh;S.K. Chen
國立中山大學	2006	Reply to Comments on “Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures”	I. Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;L.W. Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;W.C. Tsai
國立中山大學	2006	Buffer controlled GaN nanorods growth on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy	C.L. Hsiao;L.W. Tu;T.W. Chi;H.W. Seo;Q.Y. Chen;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Electrostatic and structural properties of GaN nanorods/nanowires from first-principles	M.H. Tsai;Z.F. Jhang;J.Y. Jiang;Y.H. Tang;L.W. Tu
國立中山大學	2006	The electrostatic and structural properties of GaN nanorods/nanowires from first-principles	M.H. Tsai;Z.F. Jhang;J.Y. Jiang;Y.H. Tang;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Contactless electroreflectance and photoreflectance studies of n- and p-type-doped GaN with Ga and N face	C.H. Chang;D.P. Wang;C.C. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Polycrystalline to Single-Crystalline InN Grown on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy	C.L. Hsiao;L.W. Tu;M. Chen;Z.W. Jiang;N.W. Fan;Y.J. Tu;K.R. Wang
國立中山大學	2005	Contactless Electroreflectance and Photoreflectance Studies of n- and p-type-doped GaN with Ga and N face	C.H. Chang;D.P. Wang;C.C. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Self-Formation of GaN Hollow Nanocolumns by Inductively Coupled Plasma Etching	S.C. Hung;Y.K. Su;S.J. Chang;S.C. Chen;L.W. Ji;T.H. Fang;L.W. Tu;M. Chen
國立中山大學	2005	Catalytic Nanocapillary Condensation and Epitaxial GaN Nanorod Growth	H.W. Seo;Q.Y. Chen;L.W. Tu;C.L. Hsiao;M.N. Iliev;W.K. Chu
國立中山大學	2004	Effect of N and Ga flux ratio on the GaN surface morphologies grown at high temperature by plasma-assisted molecular beam epitaxy	J.K. Tsai;Ikai Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2004	Indium-facilitated growth and characterization of N-polar GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;Ikai Lo;L.W. Tu
國立中山大學	2004	Indium-Facilitated Growth and Characterization of N-polar GaN by RF Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;I. Lo;L.W. Tu
國立中山大學	2004	Effect of N to Ga Flux Ratio on the GaN Surface Morphologies Grown at High Temperature by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy	J.K. Tsai;I. Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2003-01-25	Investigation of Vertical Hexagonal GaN Nanorods Grown on Si(111) Substrate	C.L. Hsiao;L.W. Tu;T.W. Chi;J.F. Wu;K.Y. Hsieh;I. Lo
國立中山大學	2003	Self-assembled vertical GaN nanorods grown by molecular beam epitaxy	L.W. Tu;C.L. Hsiao;T.W. Chi;Ikai Lo;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2003	Self-Assembled GaN Nanorods Grown by MBE	L.W. Tu
國立中山大學	2003	Second Subband Population of the Two-dimensional Electron Gas in Strongly Coupled GaAs/Al0.3Ga0.7As Double Quantum Wells	I. Lo;J.K. Tsai;P.C. Ho;W.J. Yao;C.H. Chang;J.C. Chiang;L.W. Tu;Q.X. Zhao
國立中山大學	2002-10-06	Analyses of Self-Assembled GaN Nanorods	L.W. Tu;C.L. Hsiao;T.W. Chi;J.F. Wu;I. Lo;C.F. Hu;T.T. Sheng;K.Y. Hsieh
國立中山大學	2002-01-19	Plasma Assisted MBE Growth and Characterizations of GaN	L.W. Tu;K.H. Lee;C.M. Lai;M.K. Hsu;W.S. Chen;C.S. Liu;I. Lo;J.K. Tsai;P.C. Ho;K.Y. Hsieh;C.H. Huang;Y.L. Shen

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