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國立中山大學	2009	p-GaN/InGaN/n-GaN pedestal nanorods: Effect of post-growth annealing on electrical performance	H.W. Seo;L.W. Tu;Y.T. Lin;C.Y. Ho;Q.Y. Chen;L. Yuan;D.P. Norman;N.J. Ho
國立中山大學	2009	Carrier Dynamics and Intervalley Scattering in InN	D.J. Jang;G.T. Lin;M.E. Lee;C.L. Wu;C.L Hsiao;L.W. Tu
國立高雄師範大學	2008	Auger recombination in InN thin films	李孟恩; D. J. Jang;G. T. Lin;C. L. Hsiao;L. W. Tu;Meng-En Lee
國立中山大學	2008	InN nanotips as excellent field emitters	K.R. Wang;S.J. Lin;L.W. Tu;M. Chen;Q.Y. Chen; T.H. Chen;M.L. Chen;H.W. Seo;N.H. Tai;S.C. Chang;I. Lo; D.P. Wang;W.K. Chu
國立中山大學	2008	Auger recombination in InN thin films	D.J. Jang;G.T. Lin;C.L. Hsiao;L.W. Tu;M.E. Lee
國立中山大學	2007	Micro-Raman Spectroscopy on Single Freestanding GaN Nanorod	C.L. Hsiao;L.W. Tu;T.W. Chi;M. Chen;T.F. Young;C.T. Chia;Y.M. Chang
國立中山大學	2007	Mechanism for persistent hexagonal island formation in AlN buffer layer during growth on Si (111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy	K.Y. Hsu;H.C. Chung;C.P. Liu;L.W. Tu
國立中山大學	2007	Photoluminescence spectroscopy of nearly defect-free InN microcrystals exhibiting nondegenerate semiconductor behaviors	C.L. Hsiao;H.C. Hsu;L.C. Chen;C.T. Wu;C.W. Chen;M. Chen;L.W. Tu;K.H. Chen
國立中山大學	2007	Generation of electricity in GaN nanorods induced by piezoelectric effect	W.S. Su;Y.F. Chen;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2007	Huge positive magnetoresistance in an InN film	C.T. Liang;Zhi-Hao Sun;Ching-Lien Hsiao;M.Z. Hsu;L.W. Tu;Jyun-Ying Lin;Jing-Han Chen;Y.F. Chen;Ting-Wu Chien
國立中山大學	2007	Energy relaxation of InN thin films	D.J. Jang;G.T. Lin;C.L. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu;M.E. Lee
國立臺灣海洋大學	2006-01	Local Oxidation of InN and GaN Using Atomic Force Microscopy	J. S. Hwang;Z. S. Hu;Z. Y. You;T. Y. Lin;C. L. Hsiao;L. W. Tu
國立中山大學	2006	Local Oxidation of InN and GaN Using an Atomic Force Microscope	J.S. Hwang;Z.S. Hu;Z.Y. You;T.Y. Lin;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2006	GaN nanorod assemblies on self-implanted (111) Si substrates	H.W. Seo;Q.Y. Chen;L.W. Tu;C.L. Hsiao;Y.J. Tu;X.M. Wang;O. Lazano;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Epitaxial GaN nanorods free from strain and luminescent defects	H.W. Seo;Q.Y. Chen;M.N. Iliev;L.W. Tu;C.L. Hsiao;J.K. Mean;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Unintentionally doped InN grown onto atomically flat AlN intermediate layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy	K.R. Wang;L.W. Tu;S.J. Lin;Y.L. Chen;Z.W. Jiang;M. Chen;C.L. Hsiao;K.H. Cheng;J.W. Yeh;S.K. Chen
國立中山大學	2006	Reply to Comments on “Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures”	I. Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;L.W. Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;W.C. Tsai
國立中山大學	2006	Buffer controlled GaN nanorods growth on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy	C.L. Hsiao;L.W. Tu;T.W. Chi;H.W. Seo;Q.Y. Chen;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Electrostatic and structural properties of GaN nanorods/nanowires from first-principles	M.H. Tsai;Z.F. Jhang;J.Y. Jiang;Y.H. Tang;L.W. Tu
國立中山大學	2006	The electrostatic and structural properties of GaN nanorods/nanowires from first-principles	M.H. Tsai;Z.F. Jhang;J.Y. Jiang;Y.H. Tang;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Contactless electroreflectance and photoreflectance studies of n- and p-type-doped GaN with Ga and N face	C.H. Chang;D.P. Wang;C.C. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Polycrystalline to Single-Crystalline InN Grown on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy	C.L. Hsiao;L.W. Tu;M. Chen;Z.W. Jiang;N.W. Fan;Y.J. Tu;K.R. Wang
國立中山大學	2005	Contactless Electroreflectance and Photoreflectance Studies of n- and p-type-doped GaN with Ga and N face	C.H. Chang;D.P. Wang;C.C. Wu;C.L. Hsiao;L.W. Tu
國立中山大學	2005	Self-Formation of GaN Hollow Nanocolumns by Inductively Coupled Plasma Etching	S.C. Hung;Y.K. Su;S.J. Chang;S.C. Chen;L.W. Ji;T.H. Fang;L.W. Tu;M. Chen
國立中山大學	2005	Catalytic Nanocapillary Condensation and Epitaxial GaN Nanorod Growth	H.W. Seo;Q.Y. Chen;L.W. Tu;C.L. Hsiao;M.N. Iliev;W.K. Chu

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