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國立中山大學 2004 Effect of N and Ga flux ratio on the GaN surface morphologies grown at high temperature by plasma-assisted molecular beam epitaxy J.K. Tsai;Ikai Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學 2004 Indium-facilitated growth and characterization of N-polar GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;Ikai Lo;L.W. Tu
國立中山大學 2004 Indium-Facilitated Growth and Characterization of N-polar GaN by RF Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;I. Lo;L.W. Tu
國立中山大學 2004 Effect of N to Ga Flux Ratio on the GaN Surface Morphologies Grown at High Temperature by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy J.K. Tsai;I. Lo;K.L. Chuang;L.W. Tu;J.H. Huang;C.H. Hsieh;K.Y. Hsieh
國立中山大學 2003-01-25 Investigation of Vertical Hexagonal GaN Nanorods Grown on Si(111) Substrate C.L. Hsiao;L.W. Tu;T.W. Chi;J.F. Wu;K.Y. Hsieh;I. Lo
國立中山大學 2003 Self-assembled vertical GaN nanorods grown by molecular beam epitaxy L.W. Tu;C.L. Hsiao;T.W. Chi;Ikai Lo;K.Y. Hsieh
國立中山大學 2003 Self-Assembled GaN Nanorods Grown by MBE L.W. Tu
國立中山大學 2003 Second Subband Population of the Two-dimensional Electron Gas in Strongly Coupled GaAs/Al0.3Ga0.7As Double Quantum Wells I. Lo;J.K. Tsai;P.C. Ho;W.J. Yao;C.H. Chang;J.C. Chiang;L.W. Tu;Q.X. Zhao
國立中山大學 2002-10-06 Analyses of Self-Assembled GaN Nanorods L.W. Tu;C.L. Hsiao;T.W. Chi;J.F. Wu;I. Lo;C.F. Hu;T.T. Sheng;K.Y. Hsieh
國立中山大學 2002-01-19 Plasma Assisted MBE Growth and Characterizations of GaN L.W. Tu;K.H. Lee;C.M. Lai;M.K. Hsu;W.S. Chen;C.S. Liu;I. Lo;J.K. Tsai;P.C. Ho;K.Y. Hsieh;C.H. Huang;Y.L. Shen

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