English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :0  
造访人次 :  53338054    在线人数 :  424
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"luo gl"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 1-10 / 10 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:40:52Z Growth of high-quality Ge epitaxial layers on Si(100) Luo, GL; Yang, TH; Chang, EY; Chang, CY; Chao, KA
國立交通大學 2014-12-08T15:40:46Z Flower-like distributed self-organized Ge dots on patterned Si (001) substrates Lee, HM; Yang, TH; Luo, GL; Chang, EY
國立交通大學 2014-12-08T15:40:23Z Study of nickel silicide contact on Si/Si1-xGex Yang, TH; Luo, GL; Chang, EY; Yang, TY; Tseng, HC; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:39:36Z Controlled placement of self-organized Ge dots on patterned Si (001) surfaces Lee, HM; Yang, TH; Luo, GL; Chang, EY
國立交通大學 2014-12-08T15:38:57Z Growth of ZnSe epilayer on Si using Ge/GexSi1-x buffer structure Yang, TH; Yang, CS; Luo, GL; Chou, WC; Yang, TY; Chang, EY; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:38:37Z Interface-blocking mechanism for reduction of threading dislocations in SiGe and Ge epitaxial layers on Si(100) substrates Yang, TH; Luo, GL; Chang, EY; Hsieh, YC; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:36:42Z A GeSi-buffer structure for growth of high-quality GaAs epitaxial layers on a Si substrate Chang, EY; Yang, TH; Luo, GL; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:25:54Z Growth of high-quality GaAs epitaxial layers on Si substrite by using a novel GeSi buffer strucuture Chang, EY; Luo, GL; Yang, TH
國立交通大學 2014-12-08T15:17:04Z Optical characterization of ZnSe epilayers and ZnCdSe/ZnSe quantum wells grown on Ge/Ge0.95Si0.05/Ge0.9Si0.1/Si virtual substrates Ku, JT; Kuo, MC; Shen, JL; Chiu, KC; Yang, TH; Luo, GL; Chang, CY; Lin, YC; Fu, CP; Chuu, DS; Chia, CH; Chou, WC
國立交通大學 2014-12-08T15:17:04Z Optimization of the growth of the InGaP etch-stop layer by MOVPE for InGaP/GaAs HBT device application Hsieh, YC; Chang, EY; Yeh, SS; Chang, CW; Luo, GL; Chang, CY; Lee, CT

显示项目 1-10 / 10 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目