臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:18Z	The demonstration of the Si nano-tube device with the promising short channel control	P.-G. Chen;M. H.Liao; M. H.Liao; P.-G. Chen
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:18Z	The dependency of different stress-level SiN capping films and the optimization of D-SMT process for the device performance booster in Ge n-FinFETs	P.-G. Chen;M. H.Liao; M. H.Liao; P.-G. Chen
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:18Z	The effect of CESL and dummy poly gate for n-type MOSFETs with short Si0.75Ge0.25 channel.	C.-C. Lee;H.-W. Hsuh;M. H.Liao; M. H.Liao; H.-W. Hsuh; C.-C. Lee
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:17Z	The demonstration of nonlinear analytic model for the strain field induced by thermal copper filled TSVs (through silicon via)	C.-X. Hong;C.-H. Chen;M.-Y. Yu;G.-H. Liu;M. H.Liao; M. H.Liao; G.-H. Liu; M.-Y. Yu; C.-H. Chen; C.-X. Hong
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:17Z	The demonstration of promising Ge ntype multi-gate-FETs with the magnetic FePt metal gate scheme	P.-G. Chen;M. H.Liao; M. H.Liao; P.-G. Chen
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:16Z	The demonstration of colossal magneto-capacitance effect with the promising gate stack characteristics on Ge (100) by the magnetic gate stack design	S.-C. Huang;M. H.Liao; M. H.Liao; S.-C. Huang
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:15Z	The comprehensive study and the reduction of contact resistivity on the n-InGaAs MIS contact system with different inserted insulators	C. Lien;M. H.Liao; M. H.Liao; C. Lien
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:15Z	The demonstration of a D-SMT stressor on Ge planer n-MOSFETs	P.-G. Chen;M. H.Liao; M. H.Liao; P.-G. Chen
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:14Z	Synthesis and characterization of n-type NiO:Al thin films for fabrication of p-n NiO homojunctions	S.-M. Song; P.-C. Ling; S.-C. Chenh; H. Sun; M. H.Liao; S.-M. Song;P.-C. Ling;S.-C. Chenh;H. Sun;M. H.Liao
臺大學術典藏	2019-03-11T08:02:13Z	Sub-60mV/dec Subthreshold Swing on Reliability of Ferroelectric HfZrOx Negative-Capacitacne FETs with DC Sweep and AC Stress Cycles	Y.-C. Chou; Z.-Y. Wang; S.-Y.Chen; G.-Y. Siang; H.-Y. Chen; C. Lo; P.-G. Chen; Y.-J. Lee; K.-S.Li; S. T. Chang; M. H. Lee; M. H. Lee;S. T. Chang;K.-S.Li;Y.-J. Lee;P.-G. Chen;C. Lo;H.-Y. Chen;G.-Y. Siang;S.-Y.Chen;Z.-Y. Wang;Y.-C. Chou;S.-S. Gu;R.-C. Hong;C.-Y. Liao;K.-T. Chen;M. H.Liao; M. H.Liao; K.-T. Chen; C.-Y. Liao; R.-C. Hong; S.-S. Gu

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