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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2005 Memeory effect of oxide/ oxygen-incorporated silicon carbide/ oxide sandwiched structure T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;F.M. Yang;S.M. Sze
國立中山大學 2005 Enhanced performance of poly-Si thin film transistors using fluorine ion implantation C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.W. Zan;Y.H. Tai;Y.C. Wu;C.Y. Chang
國立中山大學 2005 Mobility enhancement of polycrystalline-Si thin-film transistor using nanowire channels by pattern-dependent metal-induced lateral crystallization Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;Y.C. Wu;C.W. Chou;C.Y. Chang
國立中山大學 2004 Method to improve chemical-mechanical-planarization polishing rate of low-k methyl-silsesquiazane for ultralarge scale integrated interconnect application T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;S.T. Yan;Y.C. Chang;H. Aoki;S.M. Sze;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Study on the effect of electron beam curing on low-K porous organosilicate glass (OSG) material T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 CMP of Ultra Low-k Material Porous-Polysilazane (PPSZ) for Interconnect Applications T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;Y.C. Chang;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 CMP of low-k methylsilsesquiazane with oxygen plasma treatment for multilevel interconnect applications T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;Y.C. Chang;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 CMP of ultra low-k material porous-polysilazane (PPSZ) for interconnect applications T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 A novel distributed charge storage with GeO2 nano-dots T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.H. Hsu;M.T. Tang;S.M. Sze
國立中山大學 2004 Extraction of electrical mechanisms of low-dielectric constant material MSZ for interconnect applications T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;H. Aoki;S.M. Sze

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