臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
南台科技大學	2003-08	Photo-CVD SiO2 layers on AlGaN and AlGaN/GaN MOSHFET	Y. Z. Chiou; S. J. Chang; Y. K. Su; senior member IEEE; C. K. Wang; T. K. Lin ; B. R. Huang
南台科技大學	2003-06	High transconductance AlGaN/GaN MOSHFETs with photo-CVD gate oxide	C. K. Wang; T. K. Lin; Y. Z. Chiou; S. J. Chang; Y. K. Su; C. H. Kuo; T. K. Ko
南台科技大學	2003	Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Deep level defect in Si-implanted GaN n+-p junction	李明倫; J. K. Sheu;M. L. Lee; G. C. Chi;S. J. Chang
南台科技大學	2003	GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts	李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure	李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su
南台科技大學	2003	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer	李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi

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