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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2009 Al0.25Ga0.75N/GaN Schottky Barrier Photodetectors with an Al0.3Ga0.7N Intermediate Layer Lee, K. H.; Chang, Ping-Chuan; Chang, Shoou-Jinn; Su, Yan-Kuin; Wang, Y. C.; Yu, C. L.; Wu, S. L.
國立成功大學 2009 GaN MSM Photodetectors with a Semi-Insulating AlInN Cap Layer and Sputtered ITO Transparent Electrodes Weng, W. Y.; Chuang, Ricky W.; Chang, Shoou-Jinn; Lai, W. C.; Hsueh, T. J.; Shei, Shih-Chang; Zeng, X. F.; Wu, S. L.
國立成功大學 2009 AlInGaN Metal-Insulator-Semiconductor Photodetectors at UV-C 280 nm Lee, H. C.; Su, Yan-Kuin; Lin, J. C.; Cheng, Y. C.; Wu, S. L.; Jhou, Y. D.
國立成功大學 2008-09 GaN-Based Schottky Barrier Photodetectors With a 12-Pair MgxNy-GaN Buffer Layer Chang, Shoou-Jinn; Lee, K. H.; Chang, Ping-Chuan; Wang, Y. C.; Yu, C. L.; Kuo, C. H.; Wu, S. L.
國立成功大學 2008-09 GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors With SiN/GaN Nucleation Layer Su, Yan-Kuin; Chang, Shoou-Jinn; Jhou, Y. D.; Wu, S. L.; Liu, C. H.
國立成功大學 2008 GaN MSM photodetectors with an unactivated Mg-doped GaN cap layer and sputtered ITO electrodes Lee, K. H.; Chang, Ping-Chuan; Chang, Shoou-Jinn; Yu, C. L.; Wang, Y. C.; Wu, S. L.
國立成功大學 2008 Characteristics of strained-Si nMOSFET using nickel silicide source/drain Kuo, C. W.; Wu, S. L.; Chang, Shoou-Jinn; Lin, H. Y.; Wang, Y. P.
國立成功大學 2008 Visible-blind metal-semiconductor-metal photodetectors by capping an in situ low-temperature AlN layer Lee, K. H.; Chang, Ping-Chuan; Chang, Shoou-Jinn; Yu, C. L.; Wang, Y. C.; Wu, S. L.
國立成功大學 2007-11 High-detectivity nitride-based MSM photodetectors on InGaN-GaN multiquantum well with the unactivated mg-doped GaN layer Chang, Ping-Chuan; Yu, Chia-Lin; Chang, Shoou-Jinn; Lee, K. H.; Liu, C. H.; Wu, S. L.
淡江大學 2007-10 Antiferroelectric liquid crystals with amide linking group positioned at chiral tail Wu, S. L.;Yang, Z. L.; 余良杰; Yu, Liang-jye

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