| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:53Z |
藉由晶圓接合從藍寶石基板剝離氮化鎵技術
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黃冠賓; Huang, Kuan-Pin; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:33Z |
TFT-LCD中驅動IC壓合製程之改善
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高誠壕; Kao, Cheng-Hao; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:50Z |
薄膜電晶體中氮化矽閘極絕緣層與氧化銦錫間的交互作用
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周建良; Chou, Chien- Liang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:00:51Z |
高壓N型元件中閘極引發汲極漏電流原因及改善方式研究
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廖御傑; Liao, Yu-Chieh; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:00:51Z |
琴鋼線與高速切割線的鑽石間結合力之改善
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林泰宏; Lin, Tai-Huang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:00:51Z |
線狀型二氧化矽汙染物在大氣壓化學氣相沉積機台下的形成機制與改善
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林樹宏; Lin, shu-hong; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:08Z |
藉著電漿處理濕式蝕刻圖案化藍寶石基板提升氮化鎵發光二極體之效能
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牛振儀; Niu, Chen-Yi; 吳耀銓; 92; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:54:08Z |
高壓元件閘極氧化層膜厚均勻度之改善
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陳慧燕; Chen,Hui-Yen; 吳耀銓; Wu,Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:48:46Z |
週期性線狀圖案a-plane藍寶石基板成長半極性氮化鎵薄膜之研究
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鄭文豪; Cheng, Wen-Hao; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:22Z |
鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體
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童騰賦; Tung, Teng-Fu; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:20Z |
高效能雙通道鎳金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體之製備方式及特性分析
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吳鴻佑; Wu, Hung-Yu; 吳耀銓; Wu, Yew-chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:19Z |
以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常
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林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:19Z |
半導體淺溝槽內之矽筍狀缺陷去除
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田育應; Tien, Yu-Ying; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:13Z |
氫含量在奈米金屬點非揮發性記憶體之影響
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詹家瑋; Chan, Chia-Wei; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:05Z |
探討碳離子佈植與退火溫度對源汲極接面深度之影響
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黃明哲; Huang, Ming-Zhe; 吳耀銓; Wu, Yew Chung |
