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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:46:38Z Improved electrical characteristics of CoSi2 using HF-vapor pretreatment Wu, YH; Chen, WJ; Chang, SL; Chin, A; Gwo, S; Tsai, C
國立交通大學 2014-12-08T15:46:25Z Improved electrical characteristics of CoSi2 using HF-vapor pretreatment Wu, YH; Chen, WJ; Chang, SL; Chin, A; Gwo, S; Tsai, C
國立交通大學 2014-12-08T15:45:36Z Gate oxide integrity of thermal oxide grown on high temperature formed Si0.3Ge0.7 Wu, YH; Chin, A
國立交通大學 2014-12-08T15:45:20Z High-quality thermal oxide grown on high-temperature-formed SiGe Wu, YH; Chen, SB; Chin, A; Chen, WJ
國立交通大學 2014-12-08T15:45:14Z Thickness dependent gate oxide quality of thin thermal oxide grown on high temperature formed SiGe Wu, YH; Chin, A; Chen, WJ
國立交通大學 2014-12-08T15:45:09Z The buried oxide properties in oxygen plasma-enhanced low-temperature wafer bonding Wu, YH; Huang, CH; Chen, WJ; Lin, CN; Chin, A
國立交通大學 2014-12-08T15:45:06Z Electrical characteristics of high quality La2O3 gate dielectric with equivalent oxide thickness of 5 angstrom Wu, YH; Yang, MY; Chin, A; Chen, WJ; Kwei, CM
國立交通大學 2014-12-08T15:45:06Z High temperature formed SiGeP-MOSFET's with good device characteristics Wu, YH; Chin, A
國立交通大學 2014-12-08T15:44:51Z Fabrication of very high resistivity Si with low loss and cross talk Wu, YH; Chin, A; Shih, KH; Wu, CC; Liao, CP; Pai, SC; Chi, CC
國立交通大學 2014-12-08T15:44:42Z The effect of copper on gate oxide integrity Lin, YH; Wu, YH; Chin, A; Pan, FM

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