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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:07:17Z 以液相磊晶法在磷化銦基板上成長砷化銦鎵p-i-n 感光二極體 何文章; HE,WEN-HANG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:11Z 雙層複晶矽間介電質之研究 梁凱傑; LIANG,KAI-JIE; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:11Z MOS之LDD在閘極覆蓋下的特性研究 蔡曜州; CAI,YAO-ZHOU; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:11Z SONOS可程式可抹除唯讀記憶元件之電氣特性 沈信隆; SHEN,XIN-LONG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:10Z 磷化銦鎵與砷化鎵超晶格之能帶計算 麥威舜; MAI,WEI-SHUN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:09Z 運用實驗計劃法及統計分析求P型金氧半特性之最佳化 呂明峰; LU,MING-FENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:06Z 汲極微電量摻雜金氧半場效電晶體在直流下的劣化機構及其最佳化趨勢 鐘子圭; ZHONG,ZI-GUI; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:00Z 以有機金屬汽相磊晶成長磷化銦鎵與砷化鎵異質接面 林昆泉; LIN,KUN-QUAN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:07:00Z 以有機金屬汽相沈積法成長磷化銦鎵磊晶膜及其特性分析 吳昌成; WU,CHANG-CHENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN
國立交通大學 2014-12-12T02:06:59Z 可抹除可規劃 讀記憶體特性的研究 趙文賢; ZHAO,WEN-XIAN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN

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