|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :0
|
|
造訪人次 :
52519028
線上人數 :
1055
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
顯示項目 443656-443665 / 2348570 (共234857頁) << < 44361 44362 44363 44364 44365 44366 44367 44368 44369 44370 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:53:33Z |
GaAs/In(0.5)Ga(0.5)P 雙接面太陽能電池磊晶與製程的設計
|
林志遠; Lin, Chih Yuan; 余沛慈; Yu, Pei Chen |
| 國立臺灣大學 |
2009 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer
|
Lin, Y.R.; Lin, H.H.; Chu, J.H. |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T07:41:12Z |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer
|
Y. R. Lin, H. H. Lin,;J. H. Chu; Y. R. Lin, H. H. Lin,; J. H. Chu; HAO-HSIUNG LIN |
| 國立成功大學 |
2009-03-16 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer
|
Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung |
| 國立臺灣大學 |
2009 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer
|
Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:08Z |
GaAsN/GaAs量子井中 光激發引致電滯曲線於不同溫度與電場之分析
|
廖思雅; Liao, Siya; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:13Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應:等效電路RC時間常數分析
|
黃志斌; Huang, Chih-Pin; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:30Z |
GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子的光電容與光電流分析
|
趙俊泓; 陳振芳 |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:28Z |
GaAsN/GaAs量子井蕭基二極體在照光下之光電容模擬
|
許雨堤; 陳振芳; Hsu, Yu-Ti; Chen, Jenn-Fang |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T09:50:18Z |
GaAsPSb and its application to heterojunction bipolar transistors
|
Y. C. Chin,;H. H. Lin,;H. S. Guo,;C. H. Huang,; Y. C. Chin,; H. H. Lin,; H. S. Guo,; C. H. Huang,; HAO-HSIUNG LIN |
顯示項目 443656-443665 / 2348570 (共234857頁) << < 44361 44362 44363 44364 44365 44366 44367 44368 44369 44370 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目
|