臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
南台科技大學	2007	Leakage current analysis of nitride based optoelectronics by emission microscopy inspection	Y. Z. Chiou; K. W. Lin
南台科技大學	2008-09	Leakage Current Analysis of Nitride-Based Photodetectors by Emission Microscopy Inspection	Y. Z. Chiou
國立交通大學	2014-12-16T06:14:24Z	Leakage current cut-off device for ternary content addressable memory	Huang; Po-Tsang; Liu; Wen-Yen; Hwang; Wei
國立交通大學	2014-12-16T06:15:48Z	Leakage current cut-off device for ternary content addressable memory	Huang, Po-Tsang; Liu, Wen-Yen; Hwang, Wei
國立高雄師範大學	2002-12	Leakage Current Improvement of AlGaN/GaN HFETs by High Resistive Mg-Doped GaN Layer	Ruey-Lue Wang;S. C. Wei;Y. K. Su;S. J. Chang;R. L. Wang;T. H. Hsu; 王瑞祿
國立中山大學	2007	Leakage Current Improvement of Liquid Phase Deposited TixSi(1-x)Oy Films on Amorphous Silicon with Ammonium Hydroxide Incorporation by Post Metallization Annealing	Ming-Kwei Lee; Hung-Chang Lee; Chih-Te Chang; Chih-Min Hsu
國立交通大學	2014-12-08T15:15:07Z	Leakage current improvement of Ni/TiNiO/TaN metal-insulator-metal capacitors using optimized N+ plasma treatment and oxygen annealing	Huang, C. C.; Cheng, C. H.; Chin, Albert; Chou, C. P.
修平科技大學	2004-03	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M. C. Kao;Y. C. Chen;H. Z. Chen;C. M. Wang;Yi-Ju Li
國立中山大學	2004	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M.C. Kao; Y.C. Chen; H.Z. Chen; C.M. Wang; Y.J. Li
國立中山大學	2003-08	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M.C. Kao;Y.C. Chen;H.Z. Chen;C.M. Wang;Y.J. Li

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