| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T01:16:38Z |
Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments
|
Jakobs, K.; Kamada, S.; Kierstead, J.; Kodys, P.; Kohler, M.; Kohriki, T.; Kramberger, G.; Lacasta, C.; Li, Z.; Lindgren, S.; Lynn, D.; Mikestikova, M.; Maddock, P.; Mandic, I.; Marti I Garcia, S.; Martinez-Mckinney, F.; Maunu, R.; McCarthy, R.; Metcalfe, J.; Mikuz, M.; Minano, M.; Mitsui, S.; O'Shea, V.; Paganis, S.; Parzefall, U.; Puldon, D.; Robinson, D.; Sadrozinski, H.F.-W.; Sattari, S.; Schamberger, D.; Seidel, S.; Seiden, A.; Terada, S.; Toms, K.; Tsionou, D.; Von Wilpert, J.; Wormald, M.; Wright, J.; Yamada, M.; Yamamura, K.; Stathes Paganis; Unno, Y.; Affolder, A.A.; Allport, P.P.; Bates, R.; Betancourt, C.; Bohm, J.; Brown, H.; Buttar, C.; Carter, J.R.; Casse, G.; Chen, H.; Chilingarov, A.; Cindro, V.; Clark, A.; Dawson, N.; Dewilde, B.; Dolezal, Z.; Eklund, L.; Fadeyev, V.; Ferrere, D.; Fox, H.; French, R.; Garcia, C.; Gerling, M.; Gonzalez Sevilla, S.; Gorelov, I.; Greenall, A.; Grillo, A.A.; Hamasaki, N.; Hara, K.; Hatano, H.; Hoeferkamp, M.; Hommels, L.B.A.; Ikegami, Y. |
