臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	1993	Radiation Hard Process for Rapid Thermal Reoxidized Nitrided Oxides	Hwu, Jenn-Gwo; Hwu, Jenn-Gwo
國立臺灣大學	1993	Radiation Hard Process for Rapid Thermal Reoxidized Nitrided Oxides	胡振國; Hwu, Jenn-Gwo
國立暨南國際大學	2006	Radiation hardness comparison of MOS capacitors using tungsten polycide and cobalt polycide as gate electrode materials	呂育興?; Lu, YH
國立暨南國際大學	2005	Radiation hardness comparison of MOS capacitors using tungsten polycide and cobalt polycide as gate electrode materials	吳幼麟?; Wu, YL
臺大學術典藏	2009-04-27T04:27:06Z	Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides	Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C.; 胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C.
臺大學術典藏	2009-04-27T04:28:29Z	Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides	Lee, G. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, G. C.; 胡振國; Lee, G. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, G. C.
國立臺灣大學	1995	Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides	胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C.
國立臺灣大學	1993	Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides	胡振國; Lee, G. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, G. C.
臺大學術典藏	2020-06-11T06:42:09Z	Radiation hardness of fluorinated oxides prepared by Liquid phase deposition method following rapid thermal oxidation	Lu, W.-S.;Chou, J.-S.;Lee, S.-C.;Hwu, J.-G.; Lu, W.-S.; Chou, J.-S.; Lee, S.-C.; Hwu, J.-G.; JENN-GWO HWU
臺大學術典藏	2020-06-11T06:23:10Z	Radiation hardness of fluorinated oxides prepared by Liquid phase deposition method following rapid thermal oxidation	Lu, W.-S.;Chou, J.-S.;Lee, S.-C.;Hwu, J.-G.; Lu, W.-S.; Chou, J.-S.; Lee, S.-C.; Hwu, J.-G.; SI-CHEN LEE

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